Mentor新一代45纳米工艺的OPC技术

低k1光刻（Photolithography）工艺提高了RET（Resolution Enhancement Technology）在纳米设计中的应用复杂度。在45纳米，更多的复杂模式、工艺的窗口修正（window correction）、以及验证需求增加了计算负担。在双重压力下，45纳米工艺需要更加先进的光刻工具。

Mercury的Cell 芯片明导电子科技（Mentor Graphics）日前继Calibre OPCverify工具之后，又推出新一代的光学接近效应修正技术（OPC）解决方案Calibre nmOPC。Mentor Graphics设计与制造部门总经理Joe Sawicki告诉记者，Calibre nmOPC的几项创新包括高密度模拟（Dense Simulation）,优化了OPC的工艺窗口，采用硬件加速的综合计算平台（Cell Broadband Engine处理器）等等都是用来应对45纳米工艺下新的光刻需求。由于工艺变异可能对芯片良率产生极大影响，这种现象在光刻工艺中尤其明显。为了提高良率，Calibre nmOPC的高密度模拟能力可以提供100%的模拟覆盖整个掩膜，而窗口修正的优化算法可以确保硅图案化（Silicon-patterning）的成功。同时Mentor Graphics还携手Mercury Computer Systems共同开发基于高性能Cell BE处理器的标准多核高速计算机集群，Cell BE处理器提高了Calibre nmOPC的图像处理4-10倍的速度。Joe Sawicki表示结合OPC验证工具Calibre OPCverify，Calibre nmOPC将把计算光刻技术带进一个新的时代——更高的模拟精度，更优化的性能和更低的成本。(崔澎)

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